Odpowiedz 
 
Ocena wątku:
  • 7 Głosów - 4.14 Średnio
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
Składamy wzbudnicę SSB G4CLF
SP9LVZ Offline
Piotr
****

Liczba postów: 679
Dołączył: 13-01-2015
Post: #20
RE: Składamy wzbudnicę SSB G4CLF
Filtr przedwzmacniacza jest zrealizowany na 2N3904, natomiast U6 (NE5534) działa jako wtórnik, więc w najgorszym przypadku nie powinien tłumić. Wejście na U6 jest na nóżkę 3 (wejście -), gdyby było na nóżkę 2 (wejście +) to maiłby większe wzmocnienie. Autor miał zatem coś innego na myśli niż tylko jako układ wzmacniacza.
Dlatego pisałem już wcześniej że w następnej wersji płytki proponował bym zmienić tą część układu.
Kolejny temat to wzmacniacz rewersyjny na MMBFJ310. Chodzi o dwie kwestie: grzanie się tranzystorów, czyli punkt pracy i zastosowanie elementów smd, w tym dwóch łączonych równolegle MMBFJ310.
Jerzy poprosił, bym korespondencje z maila do niego dał też tu, więc w skrócie kopiuję:

Prąd Ids J310 zależy od polaryzacji G i napięcia zasilania, MMBFJ310 jest w tym układzie z zerową polaryzacją bramki Ugs=0V i jego prąd Ids wynika w takim układzie tylko z fabrycznej charakterystyki pracy tranzystora. Przy zasilaniu Uds około 5V prąd Ids osiąga już około 24 mA, co jest wystarczające by wzmacniacz miał dużą odporność intermodulacyjną. Nie potrzeba więc wyżej podnosić jego napięcia zasilania np. powyżej 6V. Wzrost napięcia zasilania powoduje tylko wzrost strat mocy na tranzystorze i jego efekt grzania się (wydzielana moc rośnie z kwadratem wzrostu napięcia - jak podniesiemy napięcie na nim x 2 (z 6V na 12V) to wydzielana w nim moc wzrośnie 4 x). W załączaniu charakterystyka prądowa J310. Jeśli zasilimy je przez stabilizator 6V to oczywiście odbędzie się to kosztem starty mocy na stabilizatorze napięcia, ale wydaje mi się to korzystniejsze niż podgrzewanie J310, co może mieć wpływ na jego parametry szumowe (pogarsza) i możliwość spalenia go.

Dodatkowo chodzi o to, że J310 w obudowie SOT-23 (smd) mają moc strat 350mW, a te co stosowane w starej wersji płytki w obudowie TO-92 (przewlekane) mają 600 mW, dlatego wolę stosować tranzystory przewlekane w tych układach, bo są odporniejsze na przeciążenie.

Policzmy: warunki pracy dla J310 przy 12V. 12 V x 30 mA (prąd może osiągać przy 12V nawet większą wartość) = 360 mW, pomijam moc oddawaną do dalszych torów bo jest znikoma w stosunku do mocy strat. Czyli te w obudowie SOT-23 są na granicy wytrzymałości start. Jeśli komuś odparują to nie będę się dziwił. A przy zasilaniu 6V, 6 V x 24 mA = 144 mW. Jeśli zastosujemy w obudowie TO-92 mamy zawsze zapas mocy strat tranzystora bez względu na napięcia zasilania.
Jest więc automatycznie uwaga o do zmiany płytki, przeprojektować ten obwód na zasilanie 6V jeśli J310 jest wersji TO-92.

W tym miejscu Jerzy odpowiedział, że autor płytki dał 2 MMBFJ310 żeby się nie grzały....

Zastosowanie w tym miejscu dwóch połączonych równolegle MMBFJ310 nic kompletnie nie wpływa na ten problem wydzielania się ciepła przez stratę mocy w tranzystorach MMBFJ301. Jeśli projektant płytki to tak wymyślił w kwestii mocy tranzystorów, to popełnił błąd. Prąd Ids 24 mA opisany wyżej nie rozpłynie się na dwa tranzystory, każdy z tranzystorów będzie pracował z taki prądem jaki wynika z jego charakterystyki! czyli cały obwód będzie pobierała 48 mA! Wystarczy prześledzić schemat pod kątem prądu stałego. Oczywiście dwa równolegle tranzystory w tym miejscu mają swoje znaczenie dla pracy układu jako wzmacniacz w.cz., tj. mogą poprawić właściwości dynamiczne wzmacniacza i myślałem, że o to wam chodziło - po prostu w obwodzie wzmacniacza płynie dwukrotnie większy prąd (2 x 24 mA), ale, ale .....ma to wpływ prace obwodów L1 i L2 (prądy stałe nasycenia rdzenia, które mogą pogorszyć jego pracę - pogorszenie IMD3 lub wręcz przestaną pracować!). Przykładowo - mam fabryczne transformatorki T9-1 (przełożenie 9:1) które mógłbym zastosować, ale one mają dopuszczalny prąd katalogowy DC 30mA. W związku z tym mógłbym zastosować tylko jeden J310 lub muszę nawijać własne trafa na rdzeniach BN-43-202. Diody MMBV3700 mają akurat większy dopuszczalny prąd przewodzenia więc z nimi nie powinno być problemu.

Będzie można to sprawdzić co pisze, po uruchomieniu tego stopnia, że te tranzystory będą się tak samo grzały jak są dwa ja i gdyby był jeden. Jak będą wlutowane dwa, dobrze by było jakby były o tych samych charakterystykach, ale nie koniecznie. Sprawa zmniejszenia mocy strat jest możliwa tylko przez obniżenie napięcia, bo chcemy by prądy Ids zostały niezmienione.

Jak widać przeprojektowanie obwodów w.cz. na inne elementy nie jest
takie proste i trzeba wziąć pod uwagę wiele czynników.


Załączone pliki Miniatury
İmage

http://sp9lvz.sp-radio.eu/
(Ten post był ostatnio modyfikowany: 26-01-2015 16:50 przez SP9LVZ.)
26-01-2015 16:50
Odwiedź stronę użytkownika Znajdź wszystkie posty użytkownika Odpowiedz cytując ten post
Odpowiedz 


Wiadomości w tym wątku
RE: Składamy wzbudnicę SSB G4CLF - SP9LVZ - 26-01-2015 16:50